核心詞：MYPT高壓電纜 及其拓撲絕緣體前景 拓撲絕緣體前景 
　　拓撲絕緣子理論體系和實驗體系是相互推動的。電子軌道的變化不是由外部磁場施加的洛倫茲力引起的。
　　1、拓撲絕緣體前景拓撲絕緣體的特殊電子結(jié)構(gòu)是由其能帶結(jié)構(gòu)的特殊拓撲性質(zhì)決定的
　　拓撲絕緣子的特殊電子結(jié)構(gòu)是由其能帶結(jié)構(gòu)的特殊拓撲性質(zhì)決定的。這種材料中的電子是惰性的,及其拓撲絕緣體前景因為它需要能量來轉(zhuǎn)移它們,拓撲絕緣體前景在晶體相互作用的影響下形成共價鍵。此時,材料邊界仍可導(dǎo)電,形成導(dǎo)電通道而沒有"后向散射",從而導(dǎo)致量子霍爾效應(yīng)的出現(xiàn)。拓撲絕緣體不同于普通絕緣體,它是一種新的量子物質(zhì)狀態(tài)的物質(zhì)。電子態(tài)是有能隙的絕緣態(tài),其表面是無能隙的金屬態(tài)。當參數(shù)=1時,MYPT高壓電纜稱系統(tǒng)為"強拓撲絕緣子";當=0但不為0時,及其拓撲絕緣體前景為"弱拓撲絕緣子"。拓撲絕緣體內(nèi)部絕緣,但其邊界或表面邊緣狀態(tài)總是導(dǎo)電。絕緣狀態(tài)是物質(zhì)最基本的狀態(tài),MYPT高壓電纜而原子絕緣體是最簡單的一種,其中電子被困在原子的封閉殼層中。
　　2、及其拓撲絕緣體前景與二維自旋霍爾絕緣體類似
　　與二維自旋霍爾絕緣子相似,三維拓撲絕緣子也可以由Z2不變量進行拓撲分類。你可以想象優(yōu)化哈密頓量使它插入兩者之間而不縮小能量差距。表面狀態(tài)取決于連接和與費米表面相交的直線的次數(shù)。奇數(shù)的表面狀態(tài)被拓撲保護,偶數(shù)的表面狀態(tài)被非拓撲保護。交集的奇數(shù)次和偶數(shù)次取決于4個不變量。在旋軌道耦合的情況下,時間反演對稱性的破壞,材料的特殊電子結(jié)構(gòu)將導(dǎo)致非零貝瑞階段在動量空間,及其拓撲絕緣體前景和電子的運動方程也將改變貝瑞階段的存在,導(dǎo)致反?；魻栃?yīng)。對于表面為二維系統(tǒng)的三維絕緣體,拓撲絕緣體前景在該點處布里淵區(qū)的四個時間反演交響樂上存在Kramers簡并,可形成二維Dirac能譜。這樣的過程定義了不同絕緣狀態(tài)之間的拓撲平衡。反?；魻栯妼?dǎo)是一種受材料自發(fā)磁化影響的新物理效應(yīng)。在凝聚態(tài)物理學(xué)的歷史上,成功的關(guān)鍵是依靠優(yōu)秀的技術(shù)生產(chǎn)出高質(zhì)量的材料,而含有重元素的窄禁帶導(dǎo)體是候選材料。拓撲絕緣體將在自旋電子學(xué)、量子計算和量子物理理論中發(fā)揮重要作用。絕緣態(tài)是一種電子態(tài),但其表面有導(dǎo)電通道,MYPT高壓電纜且與自旋有關(guān),這意味著拓撲絕緣體在自旋電子學(xué)中具有潛在的應(yīng)用前景。量子霍爾效應(yīng)是霍爾效應(yīng)的量子對等體,拓撲絕緣體前景是整數(shù)量子霍爾效應(yīng)和分數(shù)量子霍爾效應(yīng)的總稱。這就是俗稱的反?；魻栃?yīng)的"內(nèi)在機理"。
　　3、MYPT高壓電纜我們有理由相信
　　我們有理由相信,該領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)朝著令人興奮的新方向發(fā)展。
　　4、拓撲絕緣體前景根據(jù)不同電子態(tài)的拓撲性質(zhì)
　　根據(jù)不同電子態(tài)的拓撲性質(zhì),材料可分為"絕緣體"和"金屬"。如果磁場足夠強,溫度足夠低,材料中的電子就會定位到朗道的離散能級中,形成完整的絕緣狀態(tài)。能帶理論利用了晶體的平移對稱性。在絕緣狀態(tài)下,能隙將導(dǎo)帶與價帶完全分開。